MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 1.7 mΩ, 280 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

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Codice RS:
258-3971
Codice costruttore:
IRFH8303TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

280A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PQFN

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

58nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

156W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

0.9mm

Lunghezza

6mm

Larghezza

5 mm

Standard automobilistico

No

La famiglia di MOSFET di potenza Infineon StrongIRFET è ottimizzata per bassa RDS(on) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il portafoglio completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione batterie, inverter e convertitori c.c.-c.c.

Diodo con corpo più morbido rispetto alla precedente generazione di silicio

Ampio portafoglio disponibile

Maggiore densità di potenza

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