MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 5.3 mΩ N, 104 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie BSZ037N06LS5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-0712
Codice costruttore:
BSZ037N06LS5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

104A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

BSZ

Tipo di package

TSDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.3mΩ

Modalità canale

N

Tensione diretta Vf

0.8V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

69W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

35nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon OptiMOS 5 da 60 V si adatta perfettamente a soluzioni di densità di potenza e efficienza ottimizzate come la rettifica sincrona in alimentatori switching, per applicazioni di telecomunicazioni e server, nonché caricabatterie portatili. L'ingombro ridotto di soli 3,3 x 3,3 mm2 combinato con prestazioni elettriche eccezionali contribuisce ulteriormente alla migliore densità di potenza e al miglioramento del fattore di forma nell'applicazione finale.

Diodo simile a Schottky monolitico integrato

Cariche estremamente basse

Ideale per applicazioni ad alte prestazioni

Conforme a RoHS - privo di alogeni

Meno parallelo richiesto

Sovracorrente di tensione molto bassa

Necessità ridotta di circuito snubber

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