MOSFET Infineon, canale N 60 V, 9.9 mΩ N, 46 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie BSZ099N06LS5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
218-2986
Codice costruttore:
BSZ099N06LS5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

46A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

TSDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9.9mΩ

Modalità canale

N

Dissipazione di potenza massima Pd

36W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.9nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.4mm

Altezza

1.1mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie OptiMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio di 60 V, corrente di drenaggio continua massima di 46 A - BSZ099N06LS5ATMA1


Questo MOSFET è un transistor di commutazione di potenza progettato per applicazioni a canale N ad alta corrente in assemblaggi compatti a montaggio superficiale, che funzionano in un'ampia gamma di temperature e forniscono un comportamento controllato del gate-drive per attività di commutazione rapide.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale di drenaggio di 60 V consente la capacità di commutazione a media tensione
• La corrente di drenaggio continua di 46 A supporta l'erogazione di correnti elevate
• RDS(on) di 9,9 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione alla corrente nominale
• La dissipazione massima di 36 W consente una gestione della potenza significativa
• La carica di gate tipica di 6,9 nC riduce i requisiti energetici di commutazione
• La tolleranza del gate di 20 V consente robusti margini di azionamento del gate

Applicazioni


• Adatto per convertitori CC-CC in alimentatori compatti
• Ideale per stadi di rettifica sincrona ad alta corrente
• Utilizzato per gli elementi di commutazione a mezzo ponte dell'azionamento del motore
• Può essere utilizzato per la gestione dell'alimentazione nell'elettronica industriale
• Adatto per assemblaggi a montaggio superficiale che richiedono ingombri ridotti

Quale contenitore e tipo di montaggio utilizza?


È fornito in un contenitore TSDSON progettato per il montaggio superficiale.

Quali sono le prestazioni termiche previste nell'intervallo di funzionamento?


Funziona da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'implementazione in ambienti ad ampia temperatura.

In che modo la carica del gate influisce sulle prestazioni di commutazione?


Una carica gate tipica di 6,9 nC riduce l'energia di azionamento e supporta transizioni più veloci.

Quale tensione gate-source deve essere osservata per un funzionamento sicuro?


La tensione gate-sorgente non deve superare 20 V per evitare danni al dispositivo.

Qual è la configurazione del canale del dispositivo?


Il dispositivo utilizza un canale di tipo N in modalità di potenziamento per la commutazione MOSFET standard.

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