MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 9.9 mΩ N, 46 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie

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Codice RS:
218-2985
Codice costruttore:
BSZ099N06LS5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

46A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TSDSON

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9.9mΩ

Modalità canale

N

Dissipazione di potenza massima Pd

36W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.9nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.4 mm

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.4mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N serie Infineon OptiMOS™. È particolarmente adatto per la ricarica wireless, l'adattatore e le applicazioni di telecomunicazione. La bassa carica di gate (Q g) dei dispositivi riduce le perdite di commutazione senza compromettere le perdite di conduzione.

Testato con effetto valanga al 100%

Eccellente resistenza termica

Placcatura senza piombo

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