MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 12.1 mΩ Miglioramento, 20 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie BSZ067N06LS3GATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
754-5364
Codice costruttore:
BSZ067N06LS3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

OptiMOS 3

Tipo di package

TSDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.83V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

69W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.4 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.4mm

Altezza

1.1mm

Standard automobilistico

No

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