MOSFET e diodo Infineon, canale N 60 V, 1 mΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie BSZ100N06NSATMA1

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

2015,00 €

(IVA esclusa)

2460,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 25 ottobre 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
5000 +0,403 €2.015,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
220-7361
Codice costruttore:
BSZ100N06NSATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TSDSON

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

36W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.2mm

Lunghezza

5.35mm

Larghezza

6.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET e diodo Infineon serie OptiMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio di 60 V, corrente di drenaggio continua massima di 40 A - BSZ100N06NSATMA1


Questo componente MOSFET e diodo è un dispositivo di potenziamento a canale N a montaggio superficiale progettato per applicazioni di commutazione di potenza che richiedono basse perdite di conduzione e prestazioni del diodo integrato. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è adatto per progetti che richiedono una notevole gestione della corrente continua, pur essendo montato in un pacchetto TSDSON compatto.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale drain-source di 60 V consente applicazioni di commutazione a media tensione
• L'RDS(on) massimo di 1 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione sotto carico
• La corrente di drenaggio continua di 40 A supporta le fasi di potenza ad alta corrente
• La carica di gate tipica di 12 nC consente un comportamento di commutazione controllato
• La dissipazione di potenza massima di 36 W mantiene brevemente il carico termico
• Il limite gate-source a 20 V fornisce spazio per i circuiti di azionamento

Applicazioni


• Adatto per la rettifica sincrona nei convertitori di potenza
• Ideale per la commutazione dello stadio di uscita del convertitore CC-CC
• Utilizzato con semi-ponti di azionamento del motore che richiedono corrente elevata
• Può essere utilizzato per la gestione della batteria e la commutazione del carico
• Utilizzato per la regolazione del punto di carico nei sistemi compatti

Quale intervallo di temperatura può tollerare durante il funzionamento?


È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C.

Quale metodo di montaggio è richiesto per l'assemblaggio?


È progettato per il montaggio superficiale in un contenitore TSDSON.

Quanti pin di collegamento sono disponibili per il layout del circuito stampato?


Il dispositivo utilizza otto pin per i collegamenti elettrici e meccanici.

Quale modalità di conduzione del canale utilizza?


Si tratta di un dispositivo a canale N in modalità di potenziamento.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.