MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 11 mΩ Miglioramento, 20 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie BSZ110N06NS3GATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
823-5724
Codice costruttore:
BSZ110N06NS3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

OptiMOS 3

Tipo di package

TSDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.9V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25nC

Dissipazione di potenza massima Pd

50W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.4mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY

MOSFET di potenza OptiMOS™3 Infineon, da 60 a 80 V


I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.

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Placcatura senza piombo

Transistor MOSFET, Infineon


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