MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 8.4 mΩ N, 40 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie BSZ084N08NS5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-0717
Codice costruttore:
BSZ084N08NS5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

TSDSON

Serie

BSZ

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.4mΩ

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

63W

Tensione diretta Vf

0.86V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS, IEC 61249-2-21

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza industriale Infineon OptiMOS 5 da 80 V offre una riduzione RDS(on) del 43% rispetto alle generazioni precedenti ed è ideale per frequenze di commutazione elevate. I dispositivi di questa famiglia sono appositamente progettati per la rettifica sincrona in alimentatori per telecomunicazioni e server. Inoltre, possono essere utilizzati anche in altre applicazioni industriali come ad esempio azionamenti solari, a bassa tensione e adattatori.

Massima efficienza del sistema

Perdite di commutazione e di conduzione ridotte

Meno parallelo richiesto

Maggiore densità di potenza

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