MOSFET Infineon, canale Tipo P -30 V, 12 mΩ P, -40 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSZ120P03NS3GATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-0719
Codice costruttore:
BSZ120P03NS3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-30V

Tipo di package

TDSON

Serie

BSZ

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12mΩ

Modalità canale

P

Tensione diretta Vf

-1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Dissipazione di potenza massima Pd

52W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS

Standard automobilistico

No

Le famiglie OptiMOS estremamente innovative Infineon includono MOSFET di potenza a canale p. Questi prodotti soddisfano costantemente le più elevate esigenze di qualità e prestazioni nelle specifiche chiave per la progettazione di sistemi di alimentazione, come la resistenza allo stato attivo e le caratteristiche di merito.

Modalità di potenziamento

Livello normale, livello logico o livello super logico

Valanga

Placcatura del cavo senza piombo; Conforme a RoHS

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