MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 6 mΩ N, 136 A, 7 Pin, TO-263, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

2951,00 €

(IVA esclusa)

3600,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 1000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
1000 +2,951 €2.951,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
258-3792
Codice costruttore:
IPB060N15N5ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

136A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

TO-263

Serie

iPB

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6mΩ

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.9V

Dissipazione di potenza massima Pd

250W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

54.5nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS

Standard automobilistico

No

I MOSFET di potenza Infineon OptiMOS 5 da 150 V di Infineon sono particolarmente adatti per azionamenti a bassa tensione come carrelli elevatori e scooter elettrici, nonché per applicazioni di telecomunicazioni e solari. I nuovi prodotti offrono una notevole riduzione di RDS(on) e Qrr senza compromettere FOM gd e FOM OSS, riducendo efficacemente lo sforzo di progettazione e ottimizzando al contempo l'efficienza del sistema. Inoltre, la carica di recupero inverso ultrabassa aumenta la robustezza di commutazione.

Carica di uscita inferiore

Carica di recupero inverso ultrabassa

Parallelizzazione ridotta

Strutture con densità di potenza più elevata

Link consigliati