MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 6 mΩ N, 136 A, 7 Pin, TO-263, Superficie IPB060N15N5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-3794
Codice costruttore:
IPB060N15N5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

136A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

iPB

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6mΩ

Modalità canale

N

Dissipazione di potenza massima Pd

250W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

54.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS

Standard automobilistico

No

I MOSFET di potenza Infineon OptiMOS 5 da 150 V di Infineon sono particolarmente adatti per azionamenti a bassa tensione come carrelli elevatori e scooter elettrici, nonché per applicazioni di telecomunicazioni e solari. I nuovi prodotti offrono una notevole riduzione di RDS(on) e Qrr senza compromettere FOM gd e FOM OSS, riducendo efficacemente lo sforzo di progettazione e ottimizzando al contempo l'efficienza del sistema. Inoltre, la carica di recupero inverso ultrabassa aumenta la robustezza di commutazione.

Carica di uscita inferiore

Carica di recupero inverso ultrabassa

Parallelizzazione ridotta

Strutture con densità di potenza più elevata

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