MOSFET Infineon, canale N 100 V, 12.2 mΩ Miglioramento, 60 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD60N10S412ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-3849
Codice costruttore:
IPD60N10S412ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

26nC

Dissipazione di potenza massima Pd

94W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor di potenza Infineon OptiMOS-T2 è una modalità di potenziamento del livello normale a canale P. Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C.

Certificazione AEC

MSL1 fino a 260 °C di riflusso di picco

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