MOSFET Infineon, canale Tipo P 650 V, 210 mΩ N, 42 A, TO-252, Superficie IPD60R210PFD7SAUMA1

Il MOSFET a super giunzione Infineon CoolMOS PFD7 da 600 V integra l'offerta CoolMOS 7 per le applicazioni di consumo. Il MOSFET a super giunzione CoolMOS PFD7 da 600 V in un contenitore TO-252 DPAK è dotato di RDS(on) di 210 mOhm che si traduce in basse perdite di commutazione. I prodotti vengono forniti con un diodo a corpo rapido integrato che garantisce un dispositivo robusto. Il diodo a corpo rapido e il contenitore SMD leader del settore Infineon riducono lo spazio sul circuito stampato e, a sua volta, la fattura di materiale del cliente. Questa famiglia di prodotti è progettata su misura per una densità di potenza estremamente elevata e per la massima efficienza. I prodotti si rivolgono principalmente a caricabatterie ad altissima densità, adattatori e azionamenti per motori a bassa potenza. Il modello CoolMOS PFD7 da 600 V offre una migliore efficienza a pieno carico e leggera rispetto alle tecnologie CoolMOS P7 e MOSFET CE che si traduce in un aumento della densità di potenza di 1,8 W/pollice3.

Eccellente robustezza di commutazione