MOSFET Infineon, canale N, 205 A, PG-TTFN, Montaggio superficiale

Il MOSFET di potenza Infineon OptiMOS da 40 V in un contenitore 3,3x3,3 PQFN Source-Down Centre-Gate. Questo MOSFET di potenza migliore della sua categoria sfida lo status quo in termini di densità di potenza e fattore di forma nell'applicazione finale. Un obiettivo nella progettazione di utensili elettrici è quello di ridurre al minimo le restrizioni interne dei requisiti dell'area del circuito stampato, consentendo un design ergonomico e ottimizzando l'esperienza dell'utente finale. Spostando l'inverter dall'impugnatura alla testa, si riduce al minimo il volume dell'alloggiamento del motore dell'utensile elettrico, mantenendo al contempo la coppia dell'utensile a un livello ragionevolmente elevato per un'azione rapida e facile.

Capacità di corrente elevata
Uso più efficiente dell'area PBC
Massima densità di potenza e prestazioni
Ingombro ottimizzato per la parallelizzazione MOSFET con gate centrale