MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V Miglioramento, 205 A, 8 Pin, WHSON, Superficie IQE013N04LM6SCATMA1
- Codice RS:
- 260-1079
- Codice costruttore:
- IQE013N04LM6SCATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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| 50 - 98 | 2,105 € | 4,21 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 260-1079
- Codice costruttore:
- IQE013N04LM6SCATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 205A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | WHSON | |
| Serie | IQE | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 205A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package WHSON | ||
Serie IQE | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
I MOSFET Infineon consentono di collegare il potenziale di sorgente al circuito stampato tramite il tampone termico che offre diversi vantaggi, come ad esempio una maggiore capacità termica, una densità di potenza avanzata o migliori possibilità di layout. È inoltre dotato di requisiti di raffreddamento attivo ridotti e di un layout efficace per la gestione termica che offre vantaggi a livello di sistema.
Migliore perdite su circuito stampato
Consente la massima densità di potenza e prestazioni
Prestazioni termiche superiori
Possibilità di layout ottimizzate
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