MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 1.28 mΩ Miglioramento, 483 A, TO-247, Superficie
- Codice RS:
- 258-3950
- Codice costruttore:
- IRF100P218AKMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 258-3950
- Codice costruttore:
- IRF100P218AKMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 483A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.28mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | +175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 483A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.28mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento +175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima drain-source 100 V, corrente di drenaggio continua massima 483 A - IRF100P218AKMA1
Questo MOSFET è un dispositivo a semiconduttore a canale N ad alta corrente progettato per attività di commutazione e conversione di potenza. Funziona in un ampio intervallo di temperature adatto ad ambienti difficili ed è fornito in un contenitore TO‐247 per il montaggio superficiale. Il dispositivo utilizza la conduzione in modalità di potenziamento e soddisfa i requisiti RoHS.
Caratteristiche e vantaggi:
• Rds(on) di 1.28 mΩ riduce le perdite di conduzione sotto carico pesante
• 100 V Vds consente applicazioni di potenza a media tensione
• Il modello 483A a corrente continua supporta la commutazione ad alta corrente
• L'intervallo da -55 °C a +175 °C consente il funzionamento a temperature industriali
• La tensione diretta di 1,2 V migliora l'efficienza di conduzione del diodo
• 100 V Vds consente applicazioni di potenza a media tensione
• Il modello 483A a corrente continua supporta la commutazione ad alta corrente
• L'intervallo da -55 °C a +175 °C consente il funzionamento a temperature industriali
• La tensione diretta di 1,2 V migliora l'efficienza di conduzione del diodo
Applicazioni
• Adatto per le fasi di potenza dell'azionamento del motore
• Ideale per la commutazione dell'uscita dell'inverter
• Utilizzato con progetti di alimentazione ad alta corrente
• Può essere utilizzato per i convertitori CC-CC nei sistemi industriali
• Adatto per banchi di prova e banchi di carico ad alta corrente
• Ideale per la commutazione dell'uscita dell'inverter
• Utilizzato con progetti di alimentazione ad alta corrente
• Può essere utilizzato per i convertitori CC-CC nei sistemi industriali
• Adatto per banchi di prova e banchi di carico ad alta corrente
Quale disposizione di montaggio utilizza?
È fornito in un contenitore TO‐247 progettato per il montaggio superficiale.
Che tipo di conduzione impiega il dispositivo?
Il transistor è un canale di tipo N in modalità di miglioramento per la commutazione controllata.
È conforme alle comuni restrizioni sulle sostanze pericolose?
È dotato di omologazione RoHS che indica che le sostanze soggette a restrizioni sono controllate.
Quali estremi termici può tollerare durante il funzionamento?
Il dispositivo è specificato per funzionare tra -55 °C e +175 °C.
Qual è la tensione diretta tipica durante la conduzione del corpo-diodo?
La tensione diretta è specificata come 1,2 V.
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