MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 1.28 mΩ Miglioramento, 483 A, TO-247, Superficie IRF100P218AKMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-3951
Codice costruttore:
IRF100P218AKMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

483A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-247

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.28mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

+175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima drain-source 100 V, corrente di drenaggio continua massima 483 A - IRF100P218AKMA1


Questo MOSFET è un dispositivo a semiconduttore a canale N ad alta corrente progettato per attività di commutazione e conversione di potenza. Funziona in un ampio intervallo di temperature adatto ad ambienti difficili ed è fornito in un contenitore TO‐247 per il montaggio superficiale. Il dispositivo utilizza la conduzione in modalità di potenziamento e soddisfa i requisiti RoHS.

Caratteristiche e vantaggi:


• Rds(on) di 1.28 mΩ riduce le perdite di conduzione sotto carico pesante
• 100 V Vds consente applicazioni di potenza a media tensione
• Il modello 483A a corrente continua supporta la commutazione ad alta corrente
• L'intervallo da -55 °C a +175 °C consente il funzionamento a temperature industriali
• La tensione diretta di 1,2 V migliora l'efficienza di conduzione del diodo

Applicazioni


• Adatto per le fasi di potenza dell'azionamento del motore
• Ideale per la commutazione dell'uscita dell'inverter
• Utilizzato con progetti di alimentazione ad alta corrente
• Può essere utilizzato per i convertitori CC-CC nei sistemi industriali
• Adatto per banchi di prova e banchi di carico ad alta corrente

Quale disposizione di montaggio utilizza?


È fornito in un contenitore TO‐247 progettato per il montaggio superficiale.

Che tipo di conduzione impiega il dispositivo?


Il transistor è un canale di tipo N in modalità di miglioramento per la commutazione controllata.

È conforme alle comuni restrizioni sulle sostanze pericolose?


È dotato di omologazione RoHS che indica che le sostanze soggette a restrizioni sono controllate.

Quali estremi termici può tollerare durante il funzionamento?


Il dispositivo è specificato per funzionare tra -55 °C e +175 °C.

Qual è la tensione diretta tipica durante la conduzione del corpo-diodo?


La tensione diretta è specificata come 1,2 V.

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