MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V N, 30 A, TDSON, Superficie
- Codice RS:
- 258-7080
- Codice costruttore:
- IPD30N03S2L20ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
757,50 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,303 € | 757,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 258-7080
- Codice costruttore:
- IPD30N03S2L20ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 30A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | TDSON | |
| Serie | IPD | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Modalità canale | N | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 30A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package TDSON | ||
Serie IPD | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Modalità canale N | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il transistor di potenza OptiMOS di Infineon è caratterizzato da perdite di potenza di commutazione e di conduzione minime, per la massima efficienza termica. Ha una carica di gate totale ottimizzata che consente uno stadio di uscita driver più piccoli. È inoltre dotato di contenitori robusti con qualità e affidabilità superiori.
Certificazione AEC Q101 per uso automobilistico
MSL1 fino a 260 gradi C di picco di rifusione
Temperatura d'esercizio 175 °C
Contenitore ecologico
Testato al 100% a valanga
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