MOSFET Infineon, canale N, 70 A, PG-TDSON-8, Montaggio superficiale

OptiMOS ™ -T2 è una nuova una gamma di transistor MOSFET ad alta efficienza energetica con riduzione di CO2 e azionamenti elettrici. La nuova famiglia di prodotti OptiMOS™ -T2 amplia le famiglie già esistenti OptiMOS™ -T e OptiMOS™.

I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.

Canale N - modalità potenziata
Qualifica AEC
MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C
Temperatura d'esercizio: 175 °C
Prodotto non inquinante (conformità RoHS)

Il MOSFET di potenza per uso automobilistico Infineon vanta una qualità e un'affidabilità superiori. È dotato di carica gate totale ottimizzata che consente stadi di uscita driver più piccoli. Presenta basse perdite di potenza di commutazione e di conduzione per una maggiore efficienza termica.

Certificazione AEC Q101 per uso automobilistico
MSL1 fino a 260 gradi C di picco di rifusione
Temperatura d'esercizio 175 °C
Contenitore ecologico

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.