MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 5 mΩ N, 80 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

1140,00 €

(IVA esclusa)

1390,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 5000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
5000 +0,228 €1.140,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
258-7005
Codice costruttore:
BSC050N03LSGATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

BSC

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5mΩ

Modalità canale

N

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon OptiMOS 3 ha una carica di gate e di uscita bassissima, insieme alla più bassa resistenza di stato in pacchetti di piccolo ingombro, che lo rendono la scelta migliore per i requisiti esigenti delle soluzioni di regolazione della tensione in applicazioni server, Datacom e telecom.

La più bassa resistenza allo stato attivo in contenitori di ingombro ridotto

Facile da progettare

Consente di risparmiare sui costi

Consente di risparmiare spazio

Riduzione delle perdite di potenza

Link consigliati