MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 0.24 Ω Miglioramento, 15 A, 3 Pin, TSDSON, Superficie

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Codice RS:
258-7097
Codice costruttore:
SPD15P10PGBTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

15A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

SPD15P10P

Tipo di package

TSDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.24Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.35V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

37nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il SIPMOS di Infineon appartiene ai MOSFET di potenza a canale P altamente innovativi della famiglia OptiMOS. Questi prodotti soddisfano costantemente i più alti requisiti di qualità e prestazioni nelle specifiche chiave per la progettazione dei sistemi di alimentazione, come la resistenza allo stato e la figura di merito.

Modalità di potenziamento

Valanga

Placcatura senza piombo

Conforme a RoHS

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