MOSFET Infineon, canale P, 0,018 O, 39,6 A, PQFN 3 x 3, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 214-8989
- Codice costruttore:
- BSZ180P03NS3GATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prodotto al momento non disponibile. La consegna avverrà entro 4 giorni lavorativi a partire dal 14/07/2025.
Prezzo per Unità (Su Bobina da 5000)
0,264 €
(IVA esclusa)
0,322 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,264 € | 1.320,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-8989
- Codice costruttore:
- BSZ180P03NS3GATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
La gamma Infineon di MOSFET di potenza a canale P singolo OptiMOS sono progettati per offrire funzionalità avanzate e prestazioni di qualità. Le caratteristiche includono perdita ultra-bassa di commutazione, resistenza in stato attivo e valori nominali dell'effetto valanga, oltre alla qualifica AEC per soluzioni nel settore automobilistico. Le applicazioni includono c.c.-c.c., controllo di motori, gestione della batteria e commutazione del carico.
Ha una temperatura d'esercizio di 150 °C.
Qualificato in base a JEDEC per le applicazioni target
Qualificato in base a JEDEC per le applicazioni target
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | P |
| Corrente massima continuativa di drain | 39,6 A |
| Tensione massima drain source | 30 V |
| Tipo di package | PQFN 3 x 3 |
| Serie | OptiMOS P3 |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 8 |
| Resistenza massima drain source | 0,018 O |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 3.1V |
| Materiale del transistor | Si |
| Numero di elementi per chip | 1 |
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