MOSFET Infineon, canale Tipo P 30 V, 18 Ω P, 39.5 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie
- Codice RS:
- 259-1485
- Codice costruttore:
- BSZ180P03NS3EGATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*
970,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,194 € | 970,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 259-1485
- Codice costruttore:
- BSZ180P03NS3EGATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 39.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | BSZ | |
| Tipo di package | TSDSON | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 18Ω | |
| Modalità canale | P | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 39.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie BSZ | ||
Tipo di package TSDSON | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 18Ω | ||
Modalità canale P | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Le famiglie Optimos estremamente innovative di Infineon includono MOSFET di potenza a canale P. Questi prodotti soddisfano costantemente le più elevate esigenze di qualità e prestazioni nelle specifiche chiave per la progettazione di sistemi di alimentazione, come la resistenza allo stato attivo e le caratteristiche di merito.
Modalità di potenziamento
Livello normale, livello logico o livello super logico
Valanga
Placcatura senza piombo conforme alla direttiva RoHS
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