MOSFET Infineon, canale N 60 V P, 180 A, TSDSON, Superficie IPB016N06L3GATMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

9,17 €

(IVA esclusa)

11,19 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 1000 unità in spedizione dal 19 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 184,585 €9,17 €
20 - 483,895 €7,79 €
50 - 983,665 €7,33 €
100 - 1983,39 €6,78 €
200 +3,155 €6,31 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-7735
Codice costruttore:
IPB016N06L3GATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TSDSON

Serie

iPB

Tipo montaggio

Superficie

Modalità canale

P

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il transistor di potenza Infineon OptiMOS 3 è la scelta perfetta per il raddrizzamento sincrono negli alimentatori a modalità commutata, come quelli presenti nei server, nei desktop e nei caricabatterie per tablet. Inoltre, questi dispositivi possono essere utilizzati per un'ampia gamma di applicazioni industriali, tra cui il controllo dei motori, i microinverter solari e i convertitori CC-CC a commutazione rapida.

Resistenza molto bassa RDS

Ideale per le applicazioni di commutazione rapida

Conforme a RoHS

Massima efficienza del sistema

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.