MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V P, 180 A, TSDSON, Superficie IPB016N06L3GATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-7735
Codice costruttore:
IPB016N06L3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

iPB

Tipo di package

TSDSON

Tipo montaggio

Superficie

Modalità canale

P

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il transistor di potenza Infineon OptiMOS 3 è la scelta perfetta per il raddrizzamento sincrono negli alimentatori a modalità commutata, come quelli presenti nei server, nei desktop e nei caricabatterie per tablet. Inoltre, questi dispositivi possono essere utilizzati per un'ampia gamma di applicazioni industriali, tra cui il controllo dei motori, i microinverter solari e i convertitori CC-CC a commutazione rapida.

Resistenza molto bassa RDS

Ideale per le applicazioni di commutazione rapida

Conforme a RoHS

Massima efficienza del sistema

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