MOSFET Infineon, canale Tipo P 30 V, 13.4 mΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie

Codice RS:: 165-6878
Codice costruttore:: BSZ086P03NS3GATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo P 30 V, 13.4 mΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

1420,00 €

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Codice RS:: 165-6878
Codice costruttore:: BSZ086P03NS3GATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id	40A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Tipo di package	TSDSON
	Serie	OptiMOS P
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	13.4mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	69W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	43.2nC
	Tensione diretta Vf	-1.1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-25V, +25V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	3.4mm
	Altezza	1.1mm
	Lunghezza	3.4mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id 40A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Tipo di package TSDSON
	Serie OptiMOS P
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 13.4mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 69W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 43.2nC
	Tensione diretta Vf -1.1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -25V, +25V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 3.4mm
	Altezza 1.1mm
	Lunghezza 3.4mm
	Standard automobilistico No

Non applicabile

Paese di origine:: CN

MOSFET Infineon OptiMOS serie P, tensione di sorgente di drenaggio 30 V, corrente di drenaggio continua 40 A - BSZ086P03NS3GATMA1

Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale P progettato per la commutazione di potenza a montaggio superficiale in ambienti a temperatura industriale. Funziona su una gamma ambiente estesa ed è progettato per ruoli di commutazione ad alta corrente in cui è richiesto un contenitore compatto a basso profilo.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale drain-source di 30 V supporta le guide di alimentazione a bassa tensione
• La corrente di drenaggio continua di 40 A consente la commutazione ad alta corrente
• La bassa Rds(on) di 13.4 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza massima di 69 W gestisce il carico termico
• La carica di gate tipica di 43,2 nC bilancia la velocità di commutazione e la richiesta di azionamento
• La tensione massima gate-source di 25 V consente robusti margini gate-drive

Applicazioni

• Adatto per convertitori buck sincroni negli alimentatori
• Ideale per il controllo dei motori CC e le fasi di azionamento
• Utilizzato per la commutazione del carico in telecomunicazioni e sistemi di alimentazione server
• Può essere utilizzato per la gestione delle batterie e i circuiti di distribuzione
• Adatto per moduli di potenza compatti che richiedono componenti a basso profilo

Che tipo di contenitore devo aspettarmi per l'assemblaggio del circuito stampato?

È fornito in un pacchetto TSDSON a 8 pin per montaggio superficiale adatto per processi automatizzati di pick-and-place e saldatura a riflusso.

In che modo il dispositivo gestisce ampi intervalli di temperatura durante il funzionamento?

Il componente è specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in condizioni di temperatura industriali difficili con una gestione termica appropriata.

Quale polarità di conduzione del canale deve adattarsi il driver gate?

Il dispositivo è a canale P, pertanto la logica gate-drive deve essere organizzata per il funzionamento di potenziamento di tipo P e un'adeguata segnalazione pull-up/pull-down.

Esistono vantaggi in termini di montaggio o profilo da considerare?

L'altezza del pacchetto a basso profilo di 1,1 mm supporta layout con spazi limitati e consente un assemblaggio denso in progetti di potenza compatti.