MOSFET Infineon, canale Tipo P 30 V, 13.4 mΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie

Codice RS:: 165-6879
Codice costruttore:: BSZ086P03NS3EGATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo P 30 V, 13.4 mΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

1540,00 €

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Codice RS:: 165-6879
Codice costruttore:: BSZ086P03NS3EGATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id	40A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Tipo di package	TSDSON
	Serie	OptiMOS P
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	13.4mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	43.2nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	69W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-25V, +25V
	Tensione diretta Vf	-1.1V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	1.1mm
	Lunghezza	3.4mm
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	3.4mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id 40A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Tipo di package TSDSON
	Serie OptiMOS P
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 13.4mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 43.2nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 69W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -25V, +25V
	Tensione diretta Vf -1.1V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 1.1mm
	Lunghezza 3.4mm
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 3.4mm
	Standard automobilistico No

Non applicabile

Paese di origine:: CN

MOSFET Infineon OptiMOS serie P, tensione massima della sorgente di drenaggio di 30 V, corrente di drenaggio continua massima di 40 A - BSZ086P03NS3EGATMA1

Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale P progettato per la commutazione ad alta corrente in gruppi compatti a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature adatto agli ambienti elettronici più impegnativi ed è costruito per gestire correnti di drenaggio e dissipazione di potenza significative. Il pacchetto è un TSDSON a 8 pin a basso profilo per un montaggio efficiente del circuito stampato e prestazioni termiche.

Caratteristiche e vantaggi:

• La bassa resistenza all'accensione riduce le perdite di conduzione in caso di correnti elevate
• La corrente di drenaggio continua di 40 A supporta la commutazione di carichi pesanti
• La dissipazione di potenza massima di 69 W consente una gestione di potenza più elevata
• La carica di gate tipica a 43.2 nC bilancia la velocità di commutazione e lo sforzo di azionamento
• La tolleranza del gate di 25 V consente robusti margini di gate‐drive
• Valore nominale di drenaggio-sorgente di 30 V adatto per progetti di sistemi a tensione moderata

Applicazioni

• Adatto per moduli di conversione di potenza point‐of‐load
• Ideale per gli interruttori convertitori buck sincroni
• Utilizzato con circuiti di gestione della batteria nei sistemi di alimentazione
• Può essere utilizzato per il controllo del percorso del driver del motore lato basso/alimentazione
• Adatto per le telecomunicazioni e le guide di alimentazione dei server

Quali estremi termici può sopportare durante il funzionamento?

È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, adattandosi ad ampie variazioni ambientali e di giunzione.

Quanti pin e quale metodo di montaggio utilizza?

Il dispositivo utilizza un ingombro di 8 pin ed è progettato per il montaggio superficiale in un contenitore TSDSON.

Quali sono le caratteristiche elettriche che limitano le perdite di conduzione?

La resistenza massima drain‐source del dispositivo è di 13,4 mΩ, che regola la caduta di tensione in stato attivo e l'efficienza.

Quali considerazioni sul pilotaggio dei gate sono rilevanti per la progettazione della commutazione?

Con una carica di gate tipica di 43,2 nC e una tensione nominale massima di gate-source di 25 V, i circuiti di azionamento devono fornire una carica sufficiente rimanendo entro i limiti di tensione.