MOSFET Infineon, canale Tipo P 30 V, 13.4 mΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

1510,00 €

(IVA esclusa)

1840,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 10.000 unità in spedizione dal 02 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
5000 +0,302 €1.510,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
165-6879
Codice costruttore:
BSZ086P03NS3EGATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

TSDSON

Serie

OptiMOS P

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

69W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

43.2nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.4mm

Larghezza

3.4 mm

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Non applicabile

Paese di origine:
CN

MOSFET a canale di potenza P P Infineon OptiMOS™


I MOSFET di potenza a canale P Infineon OptiMOS™ sono progettati per offrire caratteristiche ottimizzate unite a prestazioni di qualità. Le caratteristiche includono perdita ultra-bassa di commutazione, resistenza in stato attivo e valori nominali dell'effetto valanga, oltre alla qualifica AEC per soluzioni nel settore automobilistico. Le applicazioni includono: CC-CC, controllo di motori, settore automobilistico ed eMobility.

Modalità potenziata

Classificazione Avalanche

Perdite di potenza a bassa conduzione e commutazione

Placcatura senza piombo; conformità Rohs

Contenitori standard

Serie a canale P OptiMOS™: gamma di temperatura da -55 °C a +175 °C

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Link consigliati