MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 3 mΩ N, 122 A, 8 Pin, TO-220, Superficie BSC030N03LSGATMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

2,46 €

(IVA esclusa)

3,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 4670 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 450,492 €2,46 €
50 - 1200,442 €2,21 €
125 - 2450,296 €1,48 €
250 - 4950,284 €1,42 €
500 +0,276 €1,38 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-7762
Codice costruttore:
BSC030N03LSGATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

122A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

TO-220

Serie

BSC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Modalità canale

N

Dissipazione di potenza massima Pd

69W

Tensione diretta Vf

0.82V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.1 mm

Altezza

5.35mm

Lunghezza

6.35mm

Standard automobilistico

No

La carica di gate e uscita ultra bassa, insieme alla bassa resistenza in stato attivo in contenitori a ingombro ridotto, rendono il MOSFET di potenza OptiMOS 3 di Infineon la scelta migliore per i requisiti più esigenti delle soluzioni di regolatore di tensione in server, telecomunicazioni dati e applicazioni di telecomunicazione.

Carica di uscita e di gate ultra bassa

La più bassa resistenza allo stato attivo in contenitori di ingombro ridotto

Resistenza termica superiore

Valanga

Link consigliati