MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 11 mΩ N, 53 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC110N06NS3GATMA1

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

2,88 €

(IVA esclusa)

3,515 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 4955 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 450,576 €2,88 €
50 - 1200,536 €2,68 €
125 - 2450,502 €2,51 €
250 - 4950,468 €2,34 €
500 +0,288 €1,44 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-7771
Codice costruttore:
BSC110N06NS3GATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

53A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TDSON

Serie

BSC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11mΩ

Modalità canale

N

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il transistor di potenza Infineon OptiMOS 3 è la scelta perfetta per il raddrizzamento sincrono negli alimentatori a modalità commutata, come quelli presenti nei server, nei desktop e nei caricabatterie per tablet. Inoltre, questi dispositivi possono essere utilizzati per un'ampia gamma di applicazioni industriali, tra cui il controllo dei motori, i microinverter solari e i convertitori CC-CC a commutazione rapida.

Resistenza molto bassa RDS

Ideale per le applicazioni di commutazione rapida

Conforme a RoHS

Massima efficienza del sistema

Link consigliati