MOSFET Infineon, canale Doppio N 40 V P, 20 A, TDSON, Superficie

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Codice RS:
259-1555
Codice costruttore:
IPG20N04S4L08ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Doppio N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

IPG

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Modalità canale

P

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET per uso automobilistico Infineon, doppio SS08 (5x6), optimos-T2. È un doppio super S08 in grado di sostituire più DPAK per un notevole risparmio di area su circuito stampato e una riduzione dei costi a livello di sistema. Si tratta di un collegamento del telaio del cavo sorgente più grande per l'incollaggio del cavo.

Modalità di potenziamento del livello logico a doppio canale N

Certificazione AEC Q101

MSL1 fino a 260 °C di riflusso di picco

Temperatura d'esercizio 175 °C

Prodotto ecologico (conforme a RoHS)

Testato al 100% contro le valanghe

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