MOSFET Infineon Modalità di potenziamento del livello logico a doppio canale N, canale Doppio N, 20 A 60 V, TDSON,
- Codice RS:
- 258-3880
- Codice costruttore:
- IPG20N06S4L11ATMA2
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*
3355,00 €
(IVA esclusa)
4095,00 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,671 € | 3.355,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 258-3880
- Codice costruttore:
- IPG20N06S4L11ATMA2
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Doppio N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 20A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOSTM-T2 | |
| Tipo di package | TDSON | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 65W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 41nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Configurazione transistor | Modalità di potenziamento del livello logico a doppio canale N | |
| Standard/Approvazioni | AEC Q101 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Doppio N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 20A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie OptiMOSTM-T2 | ||
Tipo di package TDSON | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 65W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 41nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Configurazione transistor Modalità di potenziamento del livello logico a doppio canale N | ||
Standard/Approvazioni AEC Q101 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
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