MOSFET Infineon, canale N 600 V, 60 mΩ Depletion, 120 mA, 4 Pin, PG-SOT223 BSP135H6906XTSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
260-5075
Codice Distrelec:
304-41-649
Codice costruttore:
BSP135H6906XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

120mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

PG-SOT223

Serie

BSP

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

60mΩ

Modalità canale

Depletion

Tensione diretta Vf

1.2V

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor MOSFET a canale N Infineon funziona in modalità di esaurimento. La sua dissipazione di potenza massima è di 1,8 W. Questo transistor MOSFET ha una temperatura d'esercizio minima di -55 °C e una temperatura massima di 150 °C.

Modalità di esaurimento

Valore nominale dv o dt

Disponibile con indicatore V GS(th) sulla bobina

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