MOSFET Infineon, 0.8 Ω, 7.6 A, 3 Pin, PG-SOT223, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

618,00 €

(IVA esclusa)

753,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 3000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 - 30000,206 €618,00 €
6000 +0,195 €585,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
260-5151
Codice costruttore:
IPN50R800CEATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

7.6A

Tipo di package

PG-SOT223

Serie

IPN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.8Ω

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.3mm

Larghezza

3.3 mm

Altezza

1.52mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Infineon CoolMOS CE è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata secondo il principio di super junction (SJ) e pionieristica.

Robustezza di commutazione molto elevata

Facile da usare o azionare

Link consigliati