MOSFET Infineon, canale N 650 V, 1.5 Ω Miglioramento, 3.6 A, 3 Pin, PG-SOT223, Superficie IPN60R1K5PFD7SATMA1

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Codice RS:
273-3015
Codice costruttore:
IPN60R1K5PFD7SATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

3.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PG-SOT223

Serie

IPN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

6W

Minima temperatura operativa

-40°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.6nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

JEDEC Standard

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a super giunzione MOS freddo PFD7 da 600 V di Infineon integra l'offerta MOS 7 freddo per le applicazioni di consumo.

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