MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 1.5 Ω Miglioramento, 3.6 A, 3 Pin, PG-SOT223, Superficie IPN60R1K5PFD7SATMA1

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Codice RS:
273-3015
Codice costruttore:
IPN60R1K5PFD7SATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

3.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

IPN

Tipo di package

PG-SOT223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

6W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.6nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

JEDEC Standard

Standard automobilistico

No

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