Canale P Infineon, canale Tipo P 60 V, 260 mΩ Miglioramento, 1.9 A, 3 Pin, PG-SOT223, Superficie ISP26DP06NMSATMA1

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Codice RS:
273-3041
Codice costruttore:
ISP26DP06NMSATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Canale P

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

1.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

ISP

Tipo di package

PG-SOT223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

260mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10.8nC

Dissipazione di potenza massima Pd

5W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS, IEC61249-2-21

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale P Infineon a livello normale e logico, riduce la complessità di progettazione in applicazioni a media e bassa potenza.

Facile interfaccia con MCU

Commutazione rapida

Robustezza a valanga

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