MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 1.5 Ω Miglioramento, 3.6 A, 3 Pin, PG-SOT223, Superficie
- Codice RS:
- 273-3016
- Codice costruttore:
- IPN60R1K5PFD7SATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 10 unità*
5,40 €
(IVA esclusa)
6,60 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 2990 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,54 € | 5,40 € |
| 50 - 90 | 0,456 € | 4,56 € |
| 100 - 240 | 0,425 € | 4,25 € |
| 250 - 990 | 0,416 € | 4,16 € |
| 1000 + | 0,409 € | 4,09 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-3016
- Codice costruttore:
- IPN60R1K5PFD7SATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 3.6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | IPN | |
| Tipo di package | PG-SOT223 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.5Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 6W | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 4.6nC | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC Standard | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 3.6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie IPN | ||
Tipo di package PG-SOT223 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.5Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 6W | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 4.6nC | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni JEDEC Standard | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET a super giunzione MOS freddo PFD7 da 600 V di Infineon integra l'offerta MOS 7 freddo per le applicazioni di consumo.
Riduzione dei costi BOM e facilità di fabbricazione
Robustezza e affidabilità