MOSFET Infineon, 0.8 Ω, 7.6 A, 3 Pin, PG-SOT223, Superficie IPN50R800CEATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
260-5153
Codice costruttore:
IPN50R800CEATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

7.6A

Serie

IPN

Tipo di package

PG-SOT223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.8Ω

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.3mm

Altezza

1.52mm

Standard automobilistico

No

Infineon CoolMOS CE è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata secondo il principio di super junction (SJ) e pionieristica.

Robustezza di commutazione molto elevata

Facile da usare o azionare

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