MOSFET Infineon, canale N 200 V, 32 mΩ N, 34 A, TO-252, Superficie IPD320N20N3GATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
260-5132
Codice costruttore:
IPD320N20N3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

34A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

IPD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

32mΩ

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

+175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il transistor MOSFET optiMOS a canale N Infineon fornisce un'eccellente carica del gate. È ideale per la commutazione ad alta frequenza e la rettifica sincrona.

Canale N, livello normale

Ideale per la commutazione ad alta frequenza e la rettifica sincrona

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