Codice costruttore

MOSFET e diodo Infineon, canale N N, 1.5 A, TO-252, Superficie IPD80R4K5P7ATMA1

Codice RS:: 260-5149
Codice costruttore:: IPD80R4K5P7ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET e diodo Infineon, canale N N, 1.5 A, TO-252, Superficie IPD80R4K5P7ATMA1

Prezzo per 2500 unità, in una bobina da 2500*

565,00 €

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Unità	Per unità	Per bobina*
2500 +	0,226 €	565,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 260-5149
Codice costruttore:: IPD80R4K5P7ATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET e diodo
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	1.5A
	Tipo di package	TO-252
	Serie	IPD
	Tipo montaggio	Superficie
	Modalità canale	N
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET e diodo
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 1.5A
	Tipo di package TO-252
	Serie IPD
	Tipo montaggio Superficie
	Modalità canale N
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Datasheet - IPD80R4K5P7ATMA1

Infineon CoolMOS P7 è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata secondo il principio di super junction (SJ) e pionieristica.

Protezione ESD con diodo Zener integrato

Portafoglio completamente ottimizzato

Facile da azionare e da montare in parallelo

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