MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 97 mΩ, 32 A, 3 Pin, ACEPACK SMIT, Superficie

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Codice RS:
261-5477
Codice costruttore:
SH32N65DM6AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

32A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

ACEPACK SMIT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

97mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

47nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
La combinazione di MOSFET di potenza a canale N per uso automobilistico STMicroelectronics di due MOSFET in una topologia a mezzo ponte. ACEPACK SMIT è un modulo di potenza molto compatto e robusto in un contenitore a montaggio superficiale per un facile assemblaggio. Il substrato DBC, il contenitore ACEPACK SMIT offre una bassa resistenza termica accoppiata con un tampone termico lato superiore isolato. L'elevata flessibilità di progettazione del contenitore consente diverse configurazioni, tra cui piedini di fase, boost e interruttore singolo attraverso diverse combinazioni degli interruttori di potenza interni.

Modulo di potenza half-bridge

Tensione di blocco 650 V

Diodo corpo a recupero rapido

Energie di commutazione molto basse

Bassa induttanza del contenitore

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