MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo P 650 V Depletion, 9 Pin, ACEPACK SMIT, Superficie STGSH80HB65DAG

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

27,79 €

(IVA esclusa)

33,90 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 200 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 927,79 €
10 - 9925,02 €
100 +23,06 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
152-183
Codice costruttore:
STGSH80HB65DAG
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

HB

Tipo di package

ACEPACK SMIT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

9

Modalità canale

Depletion

Dissipazione di potenza massima Pd

250W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

456nC

Tensione diretta Vf

1.9V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

Automotive-grade

Altezza

4.05mm

Lunghezza

25.20mm

Larghezza

33.20 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il dispositivo STMicroelectronics combina due IGBT e diodi in una topologia a mezzo ponte montato su un contenitore molto compatto e robusto facilmente montabile sulla superficie. Il dispositivo fa parte della serie HB di IGBT, che è ottimizzata sia in termini di conduttività che di perdite di commutazione per la commutazione dolce. Un diodo a ruota libera con una bassa caduta di tensione in avanti è incluso in ogni interruttore.

AQG 324 qualificato

Serie di commutazione ad alta velocità

Corrente di coda ridotta al minimo

Distribuzione stretta dei parametri

Bassa resistenza termica grazie al substrato DBC

Link consigliati