MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo P 650 V Depletion, 9 Pin, ACEPACK SMIT, Superficie STGSH80HB65DAG

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Codice RS:
152-181
Codice costruttore:
STGSH80HB65DAG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

ACEPACK SMIT

Serie

HB

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

9

Modalità canale

Depletion

Dissipazione di potenza massima Pd

250W

Tensione diretta Vf

1.9V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

456nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

Automotive-grade

Lunghezza

25.20mm

Larghezza

33.20 mm

Altezza

4.05mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il dispositivo STMicroelectronics combina due IGBT e diodi in una topologia a mezzo ponte montato su un contenitore molto compatto e robusto facilmente montabile sulla superficie. Il dispositivo fa parte della serie HB di IGBT, che è ottimizzata sia in termini di conduttività che di perdite di commutazione per la commutazione dolce. Un diodo a ruota libera con una bassa caduta di tensione in avanti è incluso in ogni interruttore.

AQG 324 qualificato

Serie di commutazione ad alta velocità

Corrente di coda ridotta al minimo

Distribuzione stretta dei parametri

Bassa resistenza termica grazie al substrato DBC

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