MOSFET ROHM, canale N 60 V, 11.3 mΩ N, 50 A, TO-252, Superficie RD3L03BBGTL1
- Codice RS:
- 261-9333
- Codice costruttore:
- RD3L03BBGTL1
- Costruttore:
- ROHM
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,164 € | 10,82 € |
| 50 - 95 | 1,95 € | 9,75 € |
| 100 - 245 | 1,568 € | 7,84 € |
| 250 - 995 | 1,54 € | 7,70 € |
| 1000 + | 1,274 € | 6,37 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 261-9333
- Codice costruttore:
- RD3L03BBGTL1
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 50A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | RD3L03BBG | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 11.3mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 14nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 50W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | Pb-Free Plating, RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 50A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie RD3L03BBG | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 11.3mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 14nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 50W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni Pb-Free Plating, RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
ROHM RD3L03BBG è un MOSFET di potenza con bassa resistenza all'accensione e contenitore ad alta potenza, adatto per la commutazione. La temperatura di stoccaggio varia da -55 °C a +150 °C.
Il numero di terminali è 3
Placcatura senza piombo e conformità RoHS
Senza alogeni