MOSFET singoli ROHM, canale Tipo N 60 V, 13.6 mΩ Miglioramento, 3 Pin, TO-252, Superficie RD3L04BBLHRBTL

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
646-545
Codice costruttore:
RD3L04BBLHRBTL
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-252

Serie

RD3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12.1nC

Dissipazione di potenza massima Pd

53W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101, RoHS

Altezza

2.3mm

Larghezza

6.8 mm

Lunghezza

10.50mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor a effetto campo a semiconduttore di ossido di metallo ROHM con potenza di 60 volt e 40 ampere su canale P è dotato di placcatura senza piombo ed è conforme alle restrizioni per le sostanze pericolose. Testato al 100% contro l’effetto valanga.

Bassa resistenza in stato attivo

Certificazione AEC-Q101

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