MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 222 mΩ Miglioramento, 2.4 A, 8 Pin, SOIC

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Codice RS:
262-6739
Codice costruttore:
IRF7503TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOIC

Serie

HEXFET

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

222mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.25W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.8nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa per area di silicio. Ha l'ingombro più piccolo che lo rende ideale per le applicazioni in cui lo spazio della scheda a circuito stampato è fondamentale.

Resistenza estremamente bassa

Disponibile in nastro e bobina

Contenitore SOIC molto piccolo

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