MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 22 mΩ Miglioramento, 45 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRFR2607ZTRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
262-6768
Codice costruttore:
IRFR2607ZTRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

45A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa per area di silicio. Questo design è dotato di caratteristiche aggiuntive come la temperatura d'esercizio della giunzione di 175 °C, la velocità di commutazione rapida e una migliore resistenza alle valanghe ripetitive.

Resistenza all'accensione estremamente bassa

Valanga ripetitiva consentita fino a Tjmax

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