MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 3 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-252, Superficie AUIRFR024NTRL

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-2258
Codice costruttore:
AUIRFR024NTRL
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Infineon AUIRFR024NTRL Progettato specificatamente per le applicazioni automobilistiche, questo design cellulare di MOSFET di potenza HEXFET® utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza in stato attivo per area di silicio.

Tecnologia

planare avanzata, bassa resistenza all'accensione, valore nominale dinamico dv/dt, temperatura

d'esercizio

di 175 °C, commutazione

rapida, valore nominale a valanga completa, valanga ripetitiva consentita

fino a Tjmax,

senza piombo, conformità RoHS,

certificazione per uso automobilistico

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