MOSFET STMicroelectronics 750 V Miglioramento, 15 A, 4 Pin, Rocchetto, Superficie SGT120R65AL
- Codice RS:
- 265-1035
- Codice costruttore:
- SGT120R65AL
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 1,465 € | 2,93 € |
| 50 - 98 | 1,43 € | 2,86 € |
| 100 - 248 | 1,39 € | 2,78 € |
| 250 - 998 | 1,355 € | 2,71 € |
| 1000 + | 1,32 € | 2,64 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 265-1035
- Codice costruttore:
- SGT120R65AL
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 15A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 750V | |
| Tipo di package | Rocchetto | |
| Serie | G-HEMT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 15A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 750V | ||
Tipo di package Rocchetto | ||
Serie G-HEMT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il transistor PowerGaN e-mode di STMicroelectronics è combinato con una tecnologia di imballaggio consolidata. Il dispositivo G-HEMT risultante fornisce perdite di conduzione estremamente basse, capacità di corrente elevata e funzionamento di commutazione ultrarapido per consentire un'elevata densità di potenza e prestazioni di efficienza imbattibili.
Modalità di potenziamento normalmente spegnimento transistor
Velocità di commutazione molto elevata
Elevata capacità di gestione dell'alimentazione
Capacità estremamente basse
Pad sorgente Kelvin per un controllo ottimale del gate
Carica di recupero inverso zero