MOSFET STMicroelectronics 750 V Miglioramento, 15 A, 4 Pin, Rocchetto, Superficie SGT120R65AL

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
265-1035
Codice costruttore:
SGT120R65AL
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

15A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

750V

Tipo di package

Rocchetto

Serie

G-HEMT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il transistor PowerGaN e-mode di STMicroelectronics è combinato con una tecnologia di imballaggio consolidata. Il dispositivo G-HEMT risultante fornisce perdite di conduzione estremamente basse, capacità di corrente elevata e funzionamento di commutazione ultrarapido per consentire un'elevata densità di potenza e prestazioni di efficienza imbattibili.

Modalità di potenziamento normalmente spegnimento transistor

Velocità di commutazione molto elevata

Elevata capacità di gestione dell'alimentazione

Capacità estremamente basse

Pad sorgente Kelvin per un controllo ottimale del gate

Carica di recupero inverso zero

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