MOSFET Vishay, canale Tipo N 150 V, 0.0041 Ω Miglioramento, 174 A, 4 Pin, PowerPAK (8x8L), Superficie SIJH5700E-T1-GE3

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Codice RS:
268-8324
Codice costruttore:
SIJH5700E-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

174A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

PowerPAK (8x8L)

Serie

SIJH

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0041Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

333W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

7.9mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza TrenchFET a canale N di generazione 5 Vishay è un dispositivo completamente privo di piombo. Viene utilizzato in applicazioni come la rettifica sincrona, il controllo dell'azionamento del motore, la gestione delle batterie.

Cifra di merito molto bassa

Conformità ROHS

Test UIS al 100%

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