MOSFET Vishay, canale N 150 V, 0.0041 Ω Miglioramento, 174 A, 4 Pin, PowerPAK (8x8L), Superficie SIJH5700E-T1-GE3

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Siamo spiacenti, ma non sappiamo quando questo prodotto sarà di nuovo disponibile.
Codice RS:
268-8324
Codice costruttore:
SIJH5700E-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

174A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

SIJH

Tipo di package

PowerPAK (8x8L)

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0041Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14nC

Dissipazione di potenza massima Pd

333W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

7.9mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza TrenchFET a canale N di generazione 5 Vishay è un dispositivo completamente privo di piombo. Viene utilizzato in applicazioni come la rettifica sincrona, il controllo dell'azionamento del motore, la gestione delle batterie.

Cifra di merito molto bassa

Conformità ROHS

Test UIS al 100%

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.