MOSFET Vishay, canale N, 0,0028 Ω, 225 A, PowerPAK 8 x 8L, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 228-2893
- Codice costruttore:
- SIJH112E-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)
2,042 €
(IVA esclusa)
2,491 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 2,042 € | 6.126,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 228-2893
- Codice costruttore:
- SIJH112E-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Il TrenchFET Vishay a canale N è un MOSFET da 100 V.
Testato al 100% Rg e UIS
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 225 A |
| Tensione massima drain source | 100 V |
| Serie | TrenchFET |
| Tipo di package | PowerPAK 8 x 8L |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 4 |
| Resistenza massima drain source | 0,0028 Ω |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 4V |
| Materiale del transistor | Si |
| Numero di elementi per chip | 1 |
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