Codice costruttore

MOSFET Vishay, canale Tipo N, 0.0028 Ω 100 V, 225 A Miglioramento, PowerPAK (8x8L), Superficie, 4 Pin SIJH112E-T1-GE3

Codice RS:: 228-2893
Codice costruttore:: SIJH112E-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo N, 0.0028 Ω 100 V, 225 A Miglioramento, PowerPAK (8x8L), Superficie, 4 Pin SIJH112E-T1-GE3

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Codice RS:: 228-2893
Codice costruttore:: SIJH112E-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	225A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Tipo di package	PowerPAK (8x8L)
	Serie	TrenchFET
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.0028Ω
	Modalità canale	Miglioramento

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 225A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Tipo di package PowerPAK (8x8L)
	Serie TrenchFET
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0028Ω
	Modalità canale Miglioramento

Datasheet - SIJH112E-T1-GE3

Il TrenchFET a canale N Vishay è un MOSFET da 100 V.

Testato al 100% Rg e UIS

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