MOSFET Vishay, canale N, 0,0018 Ω, 299 A, PowerPak 8 x 8L, Montaggio superficiale

Codice RS:: 225-9921
Codice costruttore:: SIJH800E-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 0,0018 Ω, 299 A, PowerPak 8 x 8L, Montaggio superficiale

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Prezzo per 1pz in confezione da 2

4,315 €

(IVA esclusa)

5,264 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per confezione*
2 - 18	4,315 €	8,63 €
20 - 48	4,10 €	8,20 €
50 - 98	3,325 €	6,65 €
100 - 198	3,02 €	6,04 €
200 +	2,505 €	5,01 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 225-9921
Codice costruttore:: SIJH800E-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Documentazione Tecnica

Datasheet - SIJH800E-T1-GE3

Normative

Dettagli prodotto

Vishay Siliconix mantiene i dati di affidabilità per la tecnologia dei semiconduttori e l'affidabilità del contenitore rappresentano un composito di tutte le posizioni qualificate.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV
Dispositivo completamente senza piombo (Pb)
Il rapporto Qg, Qgd, e Qgd/Qgs riduce la perdita di potenza relativa alla commutazione
Ingombro ridotto del 50% rispetto a D2PAK (TO-263)
Testato al 100% Rg e UIS

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	299 A
Tensione massima drain source	80 V
Serie	N-Channel 80-V
Tipo di package	PowerPak 8 x 8L
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	0,0018 Ω
Tensione di soglia gate massima	4V
Numero di elementi per chip	1

MOSFET Vishay, canale N, 0,0018 Ω, 299 A, PowerPak 8 x 8L, Montaggio superficiale

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