MOSFET Vishay, canale Tipo N 80 V, 1.8 mΩ, 299 A, 4 Pin, PowerPAK (8x8L), Superficie SIJH800E-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
225-9921
Codice costruttore:
SIJH800E-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

299A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

N-Channel 80 V

Tipo di package

PowerPAK (8x8L)

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.8mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

3.3W

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

210nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

8mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

8.1mm

Standard automobilistico

No

Vishay Siliconix mantiene i dati di affidabilità per la tecnologia dei semiconduttori e l'affidabilità del contenitore rappresentano un composito di tutte le posizioni qualificate.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

Dispositivo completamente senza piombo (Pb)

Il rapporto Qg, Qgd, e Qgd/Qgs riduce la perdita di potenza relativa alla commutazione

Ingombro ridotto del 50% rispetto a D2PAK (TO-263)

Testato al 100% Rg e UIS

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